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          三星電子首款12納米級DDR5 DRAM開發成功

          來源:中電網 2022-12-21 10:57中投網 A-A+

             -三星電子新款DRAM將于2023年開始量產,以優異的性能和更高的能效,推動下一代計算、數據中心和AI應用的發展

            三星電子宣布,已成功開發出其首款采用12納米(nm)級工藝技術打造的16GbDDR5DRAM,并與AMD一起完成了兼容性方面的產品評估。

            三星電子高級副總裁兼DRAM產品與技術負責人JooyoungLee表示:"三星12nm級DRAM將成為推動整個市場廣泛采用DDR5DRAM的關鍵因素。憑借卓越的性能和能效,我們希望新款DRAM能夠成為下一代計算、數據中心和AI驅動系統等領域更可持續運營的基礎。"

            AMD高級副總裁、企業院士兼客戶、計算、圖形首席技術官JoeMacri表示:"創新往往少不了與行業伙伴的密切合作,來拓寬技術的邊界。我們很高興能與三星電子再度合作,特別是推出在Zen平臺上優化和驗證的DDR5內存產品。"

            這一技術突破是通過使用一種新的高介電(high-k)材料來增加電池電容,以及改進關鍵電路特性的專利設計技術而實現的。結合先進的多層極紫外(EUV)光刻技術,新款DRAM擁有三星最高的DDR5Die密度(Diedensity),可使晶圓生產率提高20%。

            基于DDR5最新標準,三星12nm級DRAM將解鎖高達7.2千兆每秒(Gbps)的速度,這意味著一秒鐘內處理兩部30GB的超高清(UHD)電影。

            新款DRAM同時擁有卓越的速度與更高的能效。與上一代三星DRAM產品相比,12nm級DRAM的功耗降低約23%,對于更多追求環保經營的全球IT企業來說,這將會是值得考慮的優選解決方案。

            隨著2023年新款DRAM量產,三星計劃將這一基于先進12nm級工藝技術的DRAM產品擴展到更廣泛的市場領域,同時繼續與行業伙伴合作,推動下一代計算的快速發展。

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